| 发明名称 | 高功率半导体模块 | ||
| 摘要 | 本发明提出高功率半导体模块（10），其包括安装在模块（10）上并且包括至少两个电连接（14a，14b）的高功率半导体设备（12）。该模块（10）进一步包括安装在模块（10）上的短路设备（16）。该短路设备（16）适应于在接收触发信号（23）时通过电损毁高功率半导体模块（10）的半导体（30，32）而在两个电连接（14a，14b）之间产生持续导电路径（92）。 | ||
| 申请公布号 | CN104282647A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410329748.6 | 申请日期 | 2014.07.11 |
| 申请人 | ABB 技术有限公司 | 发明人 | T.维克斯特雷姆;T.塞茨 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 叶晓勇;汤春龙 |
| 主权项 | 一种高功率半导体模块（10），所述模块（10）包括：高功率半导体设备（12），其安装在所述模块（10）上并且包括至少两个电连接（14a，14b）；以及短路设备（16），其安装在所述模块（10）上并且适应于在接收触发信号（23）时通过电损毁所述高功率半导体模块（10）的半导体（30，32）而在所述两个电连接（14a，14b）之间产生持续导电路径（92）。 | ||
| 地址 | 瑞士苏黎世 | ||