发明名称 |
一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法,包括制绒、扩散、氧化、刻边、去除PSG、PECVD处理、丝网印刷及烧结等步骤,完成对晶体硅太阳电池的表面钝化处理。与现有技术相比,本发明的氧化工艺对硅片质量及其他工艺基本无影响,与其余工艺容易进行匹配,应用氧化工艺后,Voc可以提高4~6mV,电池效率绝对值可以提高0.3~0.5%,对于单晶硅太阳电池,最高效率可以达到1926%。 |
申请公布号 |
CN104282798A |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201310293657.7 |
申请日期 |
2013.07.12 |
申请人 |
上海神舟新能源发展有限公司 |
发明人 |
刘祯;巩;马贤芳;鲁贵林 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海科盛知识产权代理有限公司 31225 |
代理人 |
林君如 |
主权项 |
一种晶体硅太阳电池表面钝化的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)制绒:对晶体硅进行制绒处理,晶体硅的腐蚀厚度为4~6μm;(2)扩散:对经过制绒处理的晶体硅进行高温P扩散处理,扩散后方块电阻为65~80Ω;(3)氧化:采用管式密封炉对晶体硅进行氧化处理,控制得到的氧化膜厚度为1~5nm;(4)刻边:采用等离子刻边或链式刻边设备对氧化后的晶体硅刻边;(5)去除PSG:采用槽式或链式去除PSG设备除去晶体硅表面的硅磷玻璃;(6)PECVD:采用管式或链式PECVD设备进行等离子体增强化学气相沉积,沉积得到的减反射膜厚度为75~85nm;(7)丝网印刷及烧结:采用产线的一次印刷工艺进行丝网印刷得到栅线并烧结,完成对晶体硅太阳电池的表面钝化处理。 |
地址 |
201112 上海市闵行区三鲁公路719弄58号315室K座 |