射频横向双扩散场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，具有阶梯型多晶硅栅与阶梯型法拉第屏蔽层，既保持有较小的输入电容，又减小了输出电容，降低了栅边缘下方电场强度。本发明还公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，在阶梯型多晶硅栅的制作过程中，不添加任何步骤，只是在一次刻蚀中使第一层氧化层从源端到漏端为薄厚薄的结构，从而能够帮助后续形成的法拉第屏蔽层为靠近多晶硅栅为厚氧化层，靠近漏端为薄氧化层的阶梯型，阶梯型法拉第屏蔽层的制作不需要引入任何其他工艺，只需在形成阶梯型栅氧的情况下一起形成，工艺简单。

主权项

一种射频横向双扩散场效应晶体管，P型衬底上生长P型外延层，P型外延层左部形成有P阱，右部形成有N型漂移区，其特征在于，在P阱的右部及N型漂移区的左部之间的P型外延层上方依次形成有左低右高的阶梯型栅氧及阶梯型多晶硅栅；在邻接于多晶硅栅右侧的N型漂移区上方形成有左高右低的阶梯型法拉第屏蔽介质层以及阶梯型法拉第屏蔽金属层；所述阶梯型法拉第屏蔽介质层，位于阶梯型法拉第屏蔽金属层同N型漂移区之间，从左到右呈高、中、低三种厚度分布；在邻接多晶硅栅左侧的P阱上形成源端重N型区；在N型漂移区右端上形成漏端重N型区；所述源端重N型区左侧形成重P型区，所述重P型区中及下方形成P型多晶硅或者金属连接物，将所述重P型区、P阱、P外延层及P衬底引出。