发明名称 反射红外线的透明的层系统及其制造方法
摘要 本发明提出了一种在透明的介电基材S0上的、反射红外线的透明层系统及其制造方法,该层系统从基材S0向上观察包括:带有介电的基底层GAG的基底层布置体系GA,置于其上的、带有金属功能层UFAF和阻隔层UFAB的功能层布置体系UFA,以及覆盖层DA。为了在不损失光学、力学和热学性能的情况下使层系统的材料成本下降,至少一个功能层UFAF、MFAF、OFAF含有铜并且至少一个功能层UFAF、MFAF、OFAF含有银。
申请公布号 CN104284870A 申请公布日期 2015.01.14
申请号 CN201380024193.8 申请日期 2013.04.18
申请人 冯·阿德纳有限公司 发明人 克里斯多佛·科克尔特
分类号 C03C17/36(2006.01)I 主分类号 C03C17/36(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 李楠;安翔
主权项 一种在透明基材(S0)上的、反射红外线的透明层系统,其从所述基材(S0)向上观察带有以下层布置体系:‑带有介电基底层(GAG)的基底层布置体系(GA),介电基底层由金属、半导体或半导体合金的氮化物、氧化物或氮氧化物制成,‑带有金属的下功能层(UFAF)的下功能层布置体系(UFA),金属的下功能层用于反射红外线,‑至少一个中间层布置体系(ZA),所述中间层布置体系使另一功能层布置体系(MFA、OFA)与置于其下的功能层布置体系(UFA、MFA)分离,并且所述中间层布置体系包括一个或更多个中间层(ZAZ、ZAK),‑至少一个另外的、置于所述下功能层布置体系(UFA)以上的、带有另外的金属的功能层(MFAF、OFAF)的功能层布置体系(MFA、OFA),另外的金属的功能层用于反射红外线,以及‑带有介电的、含有金属、半导体或半导体合金的氮化物、氧化物或氮氧化物的覆盖层(DA1、DA2)的覆盖层布置体系(DA),其特征在于,至少一个功能层含有铜并且至少一个功能层含有银。
地址 德国德累斯顿