发明名称 |
4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型I及制备方法 |
摘要 |
4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ,其按如下步骤制得,将4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体粗品溶于小分子醇类溶剂中、达过饱和;在38~42℃下加热搅拌过夜,得悬浮沉淀;过滤,干燥得结晶物。本发明4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ的纯度高、可达99.5%,用于药物中治疗相应病症疗效显著;本发明4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ的制备方法简单、控制条件温和、生产成本低廉,制得的4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型纯度高、可达99.5%,收率理想、可达90%,非常适合大规模工业化生产。 |
申请公布号 |
CN103172552B |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201310099007.9 |
申请日期 |
2011.08.11 |
申请人 |
朱启东 |
发明人 |
叶雷 |
分类号 |
C07D207/273(2006.01)I |
主分类号 |
C07D207/273(2006.01)I |
代理机构 |
重庆弘旭专利代理有限责任公司 50209 |
代理人 |
周韶红 |
主权项 |
4‑羟基‑2‑氧代‑1‑吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ,其特征在于:其在衍射角度2<i>θ</i>为12.011、15.318、17.407、19.633、21.228、22.052、24.577、25.223、27.647、28.161、29.109、30.805、31.276、31.766、32.77、33.477、35.252、35.645、36.236、37.379、39.56、40.489、41.256、41.948、43.443、44.628度处有衍射峰。 |
地址 |
325000 浙江省温州市鹿城区江滨街道矮凳桥67号5幢302室 |