| 主权项 |
1.一种自动对准介层窗的结构,包括:一半导体基底,该半导体基底上已形成有至少一导电线;一介电层,形成在该导电线上;以及在该介电层中形成至少一介层窗,该介层窗之边界往该半导体基底方向垂直延伸之图形大致上与该导电线之两侧边相切,其可以不受延伸准则的限制。2.一种自动对准介层窗的制造方法,该介层窗不受延伸准则的限制,其方法包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底上已设有一导电层与一介电层;在该介电层中挖出一凹槽;进行微影步骤,在该介电层与该凹槽上形成一光阻层,并定义该光阻层的图案,使得该光阻层与该凹槽有一重叠处,该重叠处对应于欲形成该介层窗的位置;进行蚀刻步骤,以该光阻层为罩幕,蚀刻该介电层与该导电层,形成复数个导电线;进行选择性的液相沈积步骤,在该半导体基底上沈积一氧化层,该氧化层位于该光阻层以外的区域;以及去除该光阻层,在该氧化层中于是空出一开口,该开口即为该介层窗的结构,且对应于该重叠处。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该介电层系为氮化物。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该介电层的厚度在约500埃到约2000埃之间。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该凹槽的长度约为(该导电线的宽度2+该些导电线之线间距+0.1-0.2m),且该凹槽的宽度约为该介层窗的宽度。6.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该凹槽的长度约为(该介层窗的宽度+0.1-0.2m),且该凹槽的宽度约为(该介层窗的宽度2+该些导电线之线间距)。7.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该氧化层系为二氧化矽层,其沈积温度约在35℃左右。8.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该重叠处系为形成该介层窗的位置,使得该介层窗的大小系由该凹槽与该导电线来决定,因此可避开该介层窗经对准步骤或微影曝光步骤所造成的问题。9.一种自动对准介层窗的制造方法,该介层窗不受延伸准则的限制,其方法包括下列步骤:提供一半导体基底,其上已形成有一导电层;在该导电层上形成一介电层;进行第一蚀刻步骤,蚀刻该介电层而形成一凸垫;进行微影步骤,在该介电层与该凸垫上形成一光阻层,并定义该光阻层的图案,使得该光阻层与该凸垫有一重叠处;进行第二蚀刻步骤,以该光阻层为罩幕,蚀刻该导电层,形成复数个导电线;去除该光阻层;在该半导体基底上形成一薄的第一绝缘层;在该第一绝缘层上覆盖一第二绝缘层;去除部分该第二绝缘层表面,用以露出该凸垫表面;以及去除该凸垫,于是形成该外层窗的结构。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该介电层系为氮化物。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该介电层的厚度在约500埃到约2000埃之间。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该凸垫的长度约为(该导电线的宽度2+该些导电线之线间距+0.1-0.2m),且该凸垫的宽度约为该介层窗的宽度。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该凸垫的长度约为(该介层窗的宽度+0.1-0.2m),且该凸垫的宽度约为(该介层窗的宽度2+该些导电线之线间距)。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该重叠处系为形成该介层窗的位置,使得该介层窗的大小系由该凸垫与该导电线来决定,因此可避开该介层窗经对准步骤或微影曝光步骤所造成的问题。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一绝缘层系为未掺杂离子之原矽酸四乙酯(Undoped TEOS)。16.如申请专利范围第9项所述之方法,其中去除部分该第二绝缘层表面的方法系为回蚀刻法。17.如申请专利范围第9项所述之方法,其中去除部分该第二绝缘层表面的方法系为化学机械研磨法。图式简单说明:第一图,其所绘示的为习知一种介层窗结构的俯视示意图;第二图,其所绘示的为根据本发明之一较佳实施例,一种介层窗结构的俯视示意图;第三图a至第八图a,其所绘示的为根据本发明之第一较佳实施例,一种介层窗之制造方法的俯视示意图;第三图b至第八图b,其所绘示的为对应第三图a至第八图a的立体剖面示意图;第九图a至第十六图a,其所绘示的为根据本发明之第二较佳实施例,一种介层窗之制造方法的俯视示意图;以及第九图b至第十六图b,其所绘示的为对应第九图a至第十六图a的立体剖面示意图。 |
