一种基于金属限制散热结构的硅基微腔激光器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于金属限制散热结构的硅基微腔激光器及其制作方法。所述激光器包括：带有硅波导的SOI晶片；半导体外延片，其包括底部接触层和半导体激光器谐振腔；所述半导体激光器谐振腔位于所述底部接触层上方，且其中间刻蚀形成有散热通道；键合层，用于键合带有硅波导的SOI晶片和半导体外延片；N电极金属层，其位于底部接触层上方，且环绕形成在所述半导体激光器谐振腔周围；绝缘隔离层，其覆盖在N电极金属层、底部接触层以及半导体激光器谐振腔表面；P电极金属覆盖层，其位于绝缘隔离层和半导体激光器谐振腔上方，且完全覆盖半导体激光器谐振腔侧面和散热通道表面。

主权项

一种基于金属限制散热结构的硅基微腔激光器，其特征在于，包括：带有硅波导的SOI晶片；半导体外延片，其包括底部接触层和半导体激光器谐振腔；所述半导体激光器谐振腔位于所述底部接触层上方，且其中间刻蚀形成有散热通道；键合层，用于键合带有硅波导的SOI晶片和半导体外延片；N电极金属层，其位于底部接触层上方，且环绕形成在所述半导体激光器谐振腔周围；绝缘隔离层，其覆盖在N电极金属层、底部接触层以及半导体激光器谐振腔表面；P电极金属覆盖层，其位于绝缘隔离层和半导体激光器谐振腔上方，且完全覆盖半导体激光器谐振腔侧面和散热通道表面。