发明名称 |
一种半导体测试结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种半导体测试结构,所述半导体测试结构包括:第一金属层、第二金属层、连接所述第一金属层与所述第二金属层的第一连接通孔和第二连接通孔、依次排列的第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫、第四焊垫和第五焊垫,所述半导体测试结构中设有两个相邻金属层的连接通孔,且所述两个连接通孔通过四端法连接至五个焊垫上,有效地减小了整个测试结构的面积,为晶圆上的其他结构节省了宝贵的空间,大大提高了焊垫的利用率,增加了每个晶圆上连接通孔的数量,节约了测试成本;同时,由两连接通孔引出的连接至各相应焊垫的金属线的长度和宽度相对应,保证了流经所述两连接通孔的电流大小相同,使得测量的精准度更高。 |
申请公布号 |
CN204102893U |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201420603899.1 |
申请日期 |
2014.10.17 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
赵祥富 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种半导体测试结构,其特征在于,所述半导体测试结构包括:第一金属层、第二金属层、连接所述第一金属层与所述第二金属层的第一连接通孔和第二连接通孔、依次排列的第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫、第四焊垫和第五焊垫; 所述第一金属层包括第一金属线、第二金属线、第三金属线和第四金属线;所述第一金属线一端与所述第三焊垫相连接,另一端与所述第一连接通孔的上表面相连接;所述第二金属线一端与所述第一连接通孔的上表面相连接,另一端与所述第五焊垫相连接;所述第三金属线一端与所述第三焊垫相连接,另一端与所述第二连接通孔的上表面相连接;所述第四金属线一端与所述第二连接通孔的上表面相连接,另一端与所述第五焊垫相连接; 所述第二金属层包括第五金属线、第六金属线、第七金属线和第八金属线;所述第五金属线一端与所述第二焊垫相连接,另一端与所述第一连接通孔的下表面相连接;所述第六金属线一端与所述第一连接通孔的下表面相连接,另一端与所述第一焊垫相连接;所述第七金属线一端与所述第四焊垫相连接,另一端与所述第二连接通孔的下表面相连接;所述第八金属线一端与所述第二连接通孔的下表面相连接,另一端与所述第一焊垫相连接。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |