| 发明名称 | 取代苯并硫属并苯化合物、包含该化合物的薄膜以及包括该薄膜的有机半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供适用于作为有机半导体材料的新型化合物，该化合物为式(1)所示的取代苯并硫属并苯化合物，提供包含该化合物的薄膜、以及具有该薄膜作为构成成分的有机半导体装置。在式(1)中，E各自独立地表示硫原子或硒原子，并且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自独立地表示氢原子、任选取代的C<sub>4-30</sub>烷基、任选取代的C<sub>4-30</sub>烷氧基、任选取代的C<sub>6-30</sub>芳基、任选取代的C<sub>7-30</sub>芳烷基、任选取代的C<sub>4-30</sub>杂芳基、任选取代的C<sub>5-30</sub>杂芳烷基、或任选氟代的C<sub>3-30</sub>三烷基甲硅烷基，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>两者不为氢原子。<img file="dest_path_image002.GIF" wi="271" he="72" /> | ||
| 申请公布号 | CN102574868B | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201080040263.5 | 申请日期 | 2010.07.08 |
| 申请人 | 住友化学株式会社;国立大学法人名古屋大学 | 发明人 | 宫田康生;吉川荣二;山口茂弘 |
| 分类号 | C07D495/14(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | C07D495/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 郭煜;高旭轶 |
| 主权项 | 式(2)所示的取代苯并硫属并苯化合物：<img file="560970dest_path_image001.GIF" wi="281" he="84" />其中E各自独立地表示硫原子或硒原子，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自独立地表示C<sub>4‑30</sub>烷基、或被卤素原子或C<sub>1‑30</sub>烷氧基取代的C<sub>4‑30</sub>烷基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||