| 发明名称 | 一种半导体装置以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置以及制造方法，所述半导体装置包括碳化硅(SiC)漂移层，其安置于(0001)取向的SiC基底上。所述SiC漂移层具有非平面表面，所述非平台表面包括多个重复特征，所述多个重复特征平行于所述半导体装置的沟道的长度取向。此外，所述沟道区域安置在所述SiC漂移层的特定晶面内。 | ||
| 申请公布号 | CN104282574A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410313059.6 | 申请日期 | 2014.07.02 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | A.V.博罗特尼科夫;P.A.罗西 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 叶晓勇;姜甜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：碳化硅SiC漂移层，其安置在(0001)取向的SiC基底之上，其中所述SiC漂移层包括非平面表面，所述非平面表面包括多个重复特征，所述多个重复特征平行于所述半导体装置的沟道的长度取向，并且其中所述沟道安置在所述SiC漂移层的特定晶面内。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||