| 发明名称 | 掺杂的多晶硅栅极的制作方法、MOS晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种掺杂的多晶硅栅极的制作方法、MOS晶体管及其制作方法。该掺杂的多晶硅栅极的制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层；在所述多晶硅层上形成合金层，所述合金层的厚度不超过400埃；图形化所述多晶硅层与合金层以形成多晶硅栅极；对所述半导体衬底注入离子，以在所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底中形成离子掺杂区并且在所述多晶硅栅极中掺杂所述离子。 | ||
| 申请公布号 | CN102376557B | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201110391707.6 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 格科微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 霍介光;赵立新 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种掺杂的多晶硅栅极的制作方法，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有基本不掺杂的多晶硅层；在所述多晶硅层上形成合金层，所述合金层厚度不超过400埃；图形化所述多晶硅层与合金层以形成多晶硅栅极；对所述多晶硅栅极及其两侧的所述半导体衬底同时注入类型相同的离子，以在所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底中形成离子掺杂区并且在所述多晶硅栅极中掺杂所述离子。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张东路1388号20幢 | ||