一种带三角槽的SOI-LDMOS高压功率器件

摘要

本实用新型公开了一种带三角槽的SOI—LDMOS高压功率器件。本实用新型争对现有技术SOI—LDMOS器件关断时，漏极电压将在埋氧层下方诱导出电子反型层，它会阻止等势线穿过埋氧层，导致击穿过早发生在硅层，纵向耐压难以提高的问题，公开了一种带三角槽的SOI—LDMOS高压功率器件。其主要是通过在漂移区下方的埋氧层上蚀刻出的三角形沟槽；这样在漂移区下方，就存在一个埋氧层斜面，它可以束缚带正电的空穴，形成高浓度的正面电荷，这些电荷大大提高了器件纵向耐压。而且，器件漂移区厚度从源到漏线性增加，根据RESURF(降低表面电场)原理，横向电场因受到调制而变得均匀，有利于提高横向耐压和抑制比导通电阻的快速增加。

主权项

一种带三角槽的SOI‑LDMOS高压功率器件，其主要包括：衬底电极、纵向由下而上的P型衬底、漂移区、源电极、漏电极、栅电极、绝缘SiO₂层和空穴层；其中所述的绝缘SiO₂层常称为埋氧层，所述的漂移区横向两端分别形成了n⁺源区和n⁺漏区，在n⁺源区的边上是p体区；所述的埋氧层上蚀刻出了一个三角形沟槽，如此在漂移区下方就存在一个埋氧层斜面，所述的空穴层就在这个埋氧层斜面上。