具有整体深沟槽电容器的硅控整流器

摘要

包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。

主权项

一种使用绝缘体上硅衬底制作器件结构的方法，所述绝缘体上硅衬底具有器件层、承载晶片以及所述器件层和所述承载晶片之间的掩埋绝缘体层，所述方法包括：在所述器件层中形成第一阱；在所述第一阱中形成硅控整流器的阳极；以及形成第一深沟槽电容器的第一板面，所述第一板面与所述第一阱相耦合、并且通过所述掩埋绝缘体层从所述器件层延伸并且延伸到所述承载晶片中。