发明名称 |
阵列基板及其制造方法、显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,其中该阵列基板包括:衬底基板以及形成于衬底基板的上方的薄膜晶体管、第一公共电极、像素电极和第二公共电极,像素电极位于第一共电极和第二公共电极之间,像素电极与薄膜晶体管的漏极电连接,像素电极与第一公共电极和第二公共电极均绝缘,第一公共电极和第二公共电极的电势相等。本发明的技术方案通过在第一公共电极与像素电极之间形成第一电容,在第二公共电极与像素电极之间形成第二电容,第一电容与第二电容并联,因此在像素单元内的存储电容大小等于第一电容与第二电容之和,从而有效的提升了像素单元内的存储电容。 |
申请公布号 |
CN104280951A |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201410490190.X |
申请日期 |
2014.09.23 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
青海刚;祁小敬 |
分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;陈源 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板以及形成于所述衬底基板的上方的薄膜晶体管、第一公共电极、像素电极和第二公共电极,其中,所述像素电极位于所述第一共电极和所述第二公共电极之间,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述像素电极与所述第一公共电极和所述第二公共电极均绝缘,所述第一公共电极和所述第二公共电极的电势相等。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |