| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法、显示装置与电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体装置及其制造方法、显示装置与电子设备。其中，该半导体装置包括：包括下部电极与上部电极之间的第一绝缘膜的电容器；以及包括第二绝缘膜和半导体膜的第一层压结构，该第二绝缘膜和半导体膜位于下部电极的边缘的部分或全部与第一绝缘膜之间。 | ||
| 申请公布号 | CN104282682A | 申请公布日期 | 2015.01.14 |
| 申请号 | CN201410311255.X | 申请日期 | 2014.07.01 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 寺井康浩;豊村直史 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：电容器，包括下部电极与上部电极之间的第一绝缘膜；以及第一层压结构，包括第二绝缘膜和半导体膜，所述第二绝缘膜和所述半导体膜位于所述下部电极的边缘的部分或全部与所述第一绝缘膜之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||