发明名称 一种制造大尺寸弯曲不敏感光纤预制棒的装置及方法
摘要 本发明涉及一种制造大尺寸弯曲不敏感光纤预制棒的装置及方法,该装置包括沉积设备和烧结设备,制备的光纤预制棒包括芯层、芯层内包层、芯层外包层、内包层、纯二氧化硅包层。采用本发明的制造装置和方法,设备工艺简单合理,制备成本和风险降到最低,适合规模化生产。
申请公布号 CN102730961B 申请公布日期 2015.01.14
申请号 CN201210243973.9 申请日期 2012.07.16
申请人 江苏亨通光电股份有限公司 发明人 钱建林;马建强;肖华;柳锦炜;沈震强;陆学刚;李晓东;张建波
分类号 C03B37/018(2006.01)I 主分类号 C03B37/018(2006.01)I
代理机构 北京载博知识产权代理事务所(普通合伙) 11116 代理人 倪骏;庄益利
主权项 一种制造大尺寸弯曲不敏感光纤预制棒的方法,其特征在于该方法包括:步骤(1)芯层喷灯(6)将生成的SiO<sub>2</sub>和GeO<sub>2</sub>微粒由火焰送至初始靶棒的端面附近,最终沉积在初始靶棒端面上,由此形成芯棒松散体的芯层,芯层相对折射率差Δ<sub>1</sub>在0.41%~0.50%之间;步骤(2)芯层内包层喷灯(7)将生成的SiO<sub>2</sub>和GeO<sub>2</sub>微粒由火焰送至芯层端面附近,最终沉积在芯层端面上形成的一层掺锗的SiO<sub>2</sub>疏松体,形成芯层内包层,芯层内包层相对折射率差Δ<sub>2</sub>在0.25%~0.35%之间;步骤(3)芯层外包层喷灯(8)通过掺杂CF<sub>4</sub>的SiCl<sub>4</sub>将生成掺氟的SiO<sub>2</sub>微粒沉积在芯层内包层表面上而形成的疏松体,从而形成芯层外包层,芯层外包层相对折射率差Δ3在‑0.05%~‑0.20%之间;步骤(4)将上述形成的芯棒松散体,放在烧结炉内进行脱水烧结,形成内包层,控制其相对折射率差在‑0.02%~‑0.07%之间;步骤(5)对形成了内包层的玻璃芯棒沉积外包层,再通过脱水烧结成透明的光纤预制棒。
地址 215200 江苏省苏州市吴江市经济开发区亨通路100号江苏亨通光电股份有限公司