一种RF-LDMOS漏端场板结构

摘要

本实用新型公开了一种RF-LDMOS漏端场板结构，包括电极层（1）、衬底（2）、外延层（3）、源极-衬底连接层（4）、漂移区（5）、固定电位区（7）、源极（8）、沟道（9）、漏极（15）、绝缘层（10）、栅极（20）、栅极金属硅化物（21）、源极-沟道连接区（22），还包括SiO₂层（23）、非晶硅（12）和金属硅化物（17）;非晶硅（12）包括横向延伸结构和纵向延伸结构，纵向延伸结构与漂移区（5）相接触，横向延伸结构设置在SiO₂层（23）上；金属硅化物（17）设置在非晶硅（12）上。本实用新型能够提高器件的击穿电压，同时降低热载流子效应，减小静态电流的漂移，显著降低Cds电容。

主权项

一种RF‑LDMOS漏端场板结构，包括电极层（1）、衬底（2）、外延层（3）、源极‑衬底连接层（4）、漂移区（5）、固定电位区（7）、源极（8）、沟道（9）、漏极（15）、绝缘层（10）、栅极（20）、栅极金属硅化物（21）、源极‑沟道连接区（22），其特征在于，还包括SiO₂层（23）、非晶硅（12）和金属硅化物（17）；衬底（2）设置在电极层（1）上，所述外延层（3）和源极‑衬底连接层（4）设置在衬底（2）上，所述漏极（15）设置在外延层（3）上，固定电位区（7）和沟道（9）设置在源极‑衬底连接层（4）上，源极（8）设置在固定电位区（7）上，所述漂移区（5）设置外延层（3）上，并与所述沟道（9）相连接，沟道（9）两侧分别连接源极（8）和漂移区（5）；所述源极‑衬底连接层（4）连接源极（8）和衬底（2）；源极‑沟道连接区（22）设置在固定电位区（7）上，绝缘层（10）覆盖在漂移区（5）、沟道（9）和源极（8）上，栅极（20）设置在绝缘层（10）上，栅极金属硅化物（21）设置在所述栅极（20）上，非晶硅（12）设置在漂移区（5）上，所述栅极（20）与所述非晶硅（12）之间设置有SiO₂层（23）；所述源极‑沟道连接区（22）连接源极（8）和固定电位区（7），固定电位区（7）与沟道（9）相连接；所述非晶硅（12）包括横向延伸结构和纵向延伸结构，所述纵向延伸结构与漂移区（5）相接触，所述横向延伸结构设置在所述SiO₂层（23）上；所述金属硅化物（17）设置在所述非晶硅（12）上，所述金属硅化物（17）通过非晶硅（12）与漏极（15）相连。