发明名称 |
一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置 |
摘要 |
一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置,方法包括以下步骤:1)采用理片机将硅片理好,切口垂直向下;2)将片盒放置于定位卡槽,盖好氮气保护罩;3)开启电机,由丝杠带动升降槽由HF酸酸槽中向上升起;4)直至腐蚀块与硅片切口紧密接触时,HF酸与氧化膜开始发生反应;5)开启电机,带动升降槽降至HF酸酸槽;6)打开氮气保护罩,取出硅片进行检验。方法是利用锥形腐蚀块与8英寸切口的接触,达到去除切口氧化膜的目的。本发明的优点是:装置结构简单,操作方便,工艺成本低。 |
申请公布号 |
CN102569020B |
申请公布日期 |
2015.01.14 |
申请号 |
CN201010597242.5 |
申请日期 |
2010.12.10 |
申请人 |
有研新材料股份有限公司 |
发明人 |
徐继平;籍小兵;刘斌;边永智;宁永铎;孙洪波;张静 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 |
代理人 |
郭佩兰 |
主权项 |
一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法,其特征在于:它包括以下的步骤:1)采用理片机将硅片理好,切口垂直向下;2)将片盒放置于定位卡槽,盖好氮气保护罩;3)开启电机,由丝杠带动底部开孔的升降槽由HF酸液槽中向上升起,该升降槽内置锥形腐蚀块,该腐蚀块材料为四氟,且锥形尖位置粘贴了易于浸润和存储HF酸的布;4)直至腐蚀块与硅片切口紧密接触时,HF酸与氧化膜开始发生反应;5)开启电机,带动升降槽降至HF酸液槽;6)打开氮气保护罩,取出硅片进行检验。 |
地址 |
100088 北京市新街口外大街2号 |