鳍型场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种鳍型场效应晶体管的及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠依次包括栅下介质层和栅极材料层；在所述栅极堆叠两侧形成侧墙；形成贯穿栅极材料层和侧墙的鳍空位；在鳍空位中形成栅极介质层；形成位于鳍空位中的鳍结构以及位于鳍结构两侧的源漏区。本发明能够简单、高效地形成用于隔离栅极堆叠和源/漏区的高质量侧墙，有效提高器件生产良率。

主权项

一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：a）提供半导体衬底（100）；b）在半导体衬底（100）上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠依次包括栅下介质层（200）和栅极材料层（300）；c）在所述栅极堆叠两侧形成侧墙（310）；d）形成贯穿栅极材料层和侧墙的鳍空位；e）在鳍空位中形成栅极介质层（400）；f）形成位于鳍空位中的鳍结构以及位于鳍结构两侧的源漏区。