半导体发光装置之反射电极

摘要

本发明揭示一种用于在一半导体发光元件上形成一反射电极之方法，该发光元件具有一用于产生光之活性层及一与该活性层电气接触之披覆层。该方法包含将一导电材料中间层沉积于该披覆层上，及将该导电材料之至少一部分扩散至该披覆层内。该方法进一步包含将一反射层沉积于该中间层上，该反射层系呈导电性的且与该中间层电气接触。

主权项

一种用于在一半导体发光元件上形成一反射电极之方法，该发光元件具有用于产生光之一活性层(active layer)及与该活性层电气接触之一披覆层(cladding layer)，该方法包含：-将一导电材料中间层沉积于该披覆层上；-使该导电材料之至少一部分扩散至该披覆层内；-将一反射层沉积于该中间层上，该反射层系呈导电性的且与该中间层电气接触；其中使该导电材料之该至少该部分扩散至该披覆层内包含将该发光元件退火(annealing)；及其中该退火包含以一持续时间(duration)及一温度将该发光元件退火，其足以使该导电材料扩散至该披覆层内一大约50奈米之扩散深度。