背照式互补式金氧半导体影像感测器

摘要

本发明系关于一种背照式影像感测器，其包含一感测器层，该感测器层系设置于一绝缘层与一电连接至该感测器层的电路层之间。一成像区域包含复数个光电侦测器，其系形成于该感测器层与一横跨该成像区域的井孔之间。该井孔可系设置于该感测器层之背侧及该光电侦测器之间，或该井孔可为一邻接该感测器层之背侧的埋设井孔，其包含一形成于该光电侦测器与该埋设井孔之间的区域。一个或多个侧井孔可经形成为横向地邻接于每一个光电侦测器。该井孔中之掺杂物具有一偏析系数，其使该掺杂物积聚于该感测器层与该绝缘层之间之一介面之该感测器层侧上。

主权项

一种背照式影像感测器，其包括：一感测器层，其系设置于一绝缘层与一电连接至该感测器层的电路层之间，其中该感测器层之一前侧邻接该电路层，且该感测器层之一背侧邻接该绝缘层；一成像区域，其包含复数个光电侦测器，用于将入射至该感测器层之背侧之光转换为光-产生电荷，其中该复数个光电侦测器系掺杂有一p型掺杂物，且系设置于邻接该感测器层之前侧之该感测器层；及一井孔，其横跨该成像区域，且系形成于邻接该感测器层背侧之该感测器层的至少一部分中，其中该井孔系掺杂有一n型掺杂物，该n型掺杂物具有一偏析系数，可使该n型掺杂物积聚于该感测器层之背侧及该绝缘层之间之一介面之该感测器层侧上，其中该n型掺杂物浓度于该介面增加且该p型掺杂物之浓度于该介面减少。