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Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (500a) umfasst ein Einbringen von wenigstens einem ersten und einem zweiten Trenchmuster (410, 420), die Arraytrenches (411) aufweisen, von einer ersten Oberfläche (101) in ein Halbleitersubstrat (100a), wobei ein Arrayisolationsteil (490) das Halbleitersubstrat (100a) in die ersten und zweiten Trenchmuster (410, 420) trennt. Eine vergrabene Gateelektrodenstruktur (150) ist in den ersten und zweiten Trenchmustern (410, 420) in einem Abstand zu der ersten Oberfläche (101) vorgesehen. In einem einzigen Ätzprozess werden ein Vorrichtungstrennungstrench (190), der eine erste Breite hat, in den Arrayisolationsteil (490) und Zelltrennungstrenches (170), die höchstens eine zweite Breite haben, die kleiner als die erste Breite ist, in Halbleiterrippen (418) zwischen den Arraytrenches (411) eingebracht. Schaltvorrichtungen, die in den gleichen Halbleiterchip integriert sind, können in einer kosteneffektiven Weise gebildet werden. |
