Isolierschicht, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung

摘要

In einer Halbleitervorrichtung, die einen Transistor mit einer Oxid-Halbleiterschicht und eine Schutzschicht über dem Transistor aufweist, wird eine Oxid-Isolierschicht mit einem höheren Sauerstoffgehalt als die stöchiometrische Zusammensetzung als eine Schutzschicht unter den folgenden Bedingungen gebildet: ein Substrat, das in einer auf ein Vakuumniveau evakuierten Behandlungskammer angeordnet ist, wird bei einer Temperatur größer als oder gleich 180°C und kleiner als oder gleich 260°C gehalten; ein Quellengas wird in die Behandlungskammer eingeführt, so dass der Druck in der Behandlungskammer größer als oder gleich 100 Pa und niedriger als oder gleich 250 Pa ist; und eine Hochfrequenzleistung größer als oder gleich 0,17 W/cm2 und kleiner als oder gleich 0,5 W/cm2 wird einer Elektrode, die in der Behandlungskammer vorgesehen ist, zugeführt.