提供磁性储存单元之稳定性的方法

摘要

本发明系为一种提供一记忆胞元之磁稳定性的方法。该记忆胞元系邻设于一导电线路，并靠近一写入机构其能设定该记忆胞元的磁性状态。该方法包括由该写入机构接收一代表可用之最大磁场强度的讯号。该记忆胞元相对于导电线路的所需位置会被产生以提供该记忆胞元的稳定性，而仍可容许该写入机构改变该记忆胞元的磁性状态。