发明名称 具有测试高记忆体位址功能之控制电路及控制方法
摘要 本发明系提出一种具有测试高记忆体位址功能之控制电路及控制方法。其于北桥晶片中直接提供硬体的映射(Mapping)电路,并利用映射电路的切换,达成在大真实模式(Big Real Mode)之下执行记忆体测试软体而能够进行4GB以上记忆体位址空间的测试。
申请公布号 TW200423139 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092109403 申请日期 2003.04.22
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 朱修明
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人 王丽茹;曾国轩
主权项
地址 台北县新店市中正路五三三号八楼