| 摘要 |
Halbleiterspeicherbauelement mit einem Substrat (10) aus Halbleitermaterial mit einer Hauptseite, Bitleitungen (4, 38), die parallel im Abstand voneinander angeordnet sind und Source-/Drain-Bereiche miteinander verbinden, die an der Hauptseite als dotierte Bereiche ausgebildet sind, einer Speicherschichtfolge (20), die auf der Hauptseite angeordnet und zumindest benachbart zu den Source-/Drain-Bereichen vorhanden ist, Gate-Elektroden (34) aus elektrisch leitfähigem Material, die jeweils über einem zwischen je zwei Source-/Drain-Bereichen vorhandenen Kanalbereich (6) angeordnet und von dem Kanalbereich (6) durch dielektrisches Material getrennt sind, und Wortleitungen (2), die quer zu den Bitleitungen (4, 38) parallel im Abstand voneinander angeordnet und mit einer Mehrzahl von Gate-Elektroden (34) elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Wortleitungen (2)–an jeder Stelle einen spezifischen ohmschen Widerstand aufweisen, der niedriger ist als 15μΩcm, und–Seitenwände aufweisen, die mit Wortleitungsspacern (52) aus einem dielektrischen Material versehen sind, das bei erhöhter Temperatur eine Ausdiffusion von Atomen aus der betreffenden Wortleitung (2) verhindert, und wobei jede der Wortleitungen in selbstjustierten Kontaktöffnungen auf der Mehrzahl der Gate-Elektroden ausgebildet ist. |
