| 主权项 |
1.一种散热型晶片封装构造,包含: 一晶片载体; 一晶片,其系设置于该晶片载体,该晶片系具有一 主动面以及一背面,且该晶片系包含有一形成在该 主动面上之整合型散热片(integrated heat sink)以及复 数个焊垫; 复数个电性导接元件,其系电性连接该晶片之该些 焊垫至该晶片载体;及 一封胶体,其系形成于该晶片载体上,以包覆该晶 片与该些电性导接元件。 2.如申请专利范围第1项所述之散热型晶片封装构 造,其中该整合型散热片系为一在该晶片上之晶圆 等级电镀层。 3.如申请专利范围第2项所述之散热型晶片封装构 造,其中该晶片系另包含有一晶种层,其系形成于 该整合型散热片与该晶片之该主动面之间。 4.如申请专利范围第1项所述之散热型晶片封装构 造,其中该些焊垫系排列在该整合型散热片外侧而 不被该整合型散热片所覆盖。 5.如申请专利范围第1项所述之散热型晶片封装构 造,其中该整合型散热片系热耦合并覆盖该晶片之 主动面60%~95%之面积。 6.如申请专利范围第1项所述之散热型晶片封装构 造,其中该整合型散热片系具有一散热面,该散热 面系高于该些电性导接元件,以利该封胶体密封该 些电性导接元件而显露该散热面。 7.如申请专利范围第1或6项所述之散热型晶片封装 构造,其中该些电性导接元件系为焊线。 8.如申请专利范围第7项所述之散热型晶片封装构 造,其中该些电性导接元件系为逆打线连接至该些 焊垫。 9.如申请专利范围第1项所述之散热型晶片封装构 造,其中该晶片载体系为一基板。 10.如申请专利范围第9项所述之散热型晶片封装构 造,其另包含有复数个焊球,其系设置于该晶片载 体。 11.一种积体电路晶片,具有一主动面以及一背面, 该晶片系包含有一形成在该主动面上之整合型散 热片(integrated heat sink)以及复数个焊垫。 12.如申请专利范围第11项所述之积体电路晶片,其 中该整合型散热片系为一在该晶片上之晶圆等级 电镀层。 13.如申请专利范围第12项所述之积体电路晶片,其 另包含有一晶种层,其系形成于该整合型散热片与 该晶片之主动面之间。 14.如申请专利范围第11项所述之积体电路晶片,其 中该些焊垫系排列在该整合型散热片外侧而不被 该整合型散热片所覆盖。 15.如申请专利范围第11项所述之积体电路晶片,其 中该整合型散热片系热耦合并覆盖该晶片之主动 面60%~95%之面积。 16.一种散热型晶片封装构造之制造方法,包含: 提供一晶片,该晶片系具有一主动面以及一背面, 且该晶片系包含有一形成在该主动面上之复数个 焊垫; 形成一整合型散热片(integrated heat sink)于该晶片之 主动面上; 设置该晶片于一晶片载体; 电性连接该晶片之该些焊垫至该晶片载体;及 形成一封胶体于该晶片载体上,以包覆该晶片与该 些电性导接元件。 17.如申请专利范围第16项所述之散热型晶片封装 构造之制造方法,其中该整合型散热片之形成方法 系为电镀。 18.如申请专利范围第16项所述之散热型晶片封装 构造之制造方法,其中该晶片系构成于一晶圆内。 19.如申请专利范围第17项所述之散热型晶片封装 构造之制造方法,其中在该整合型散热片之电镀步 骤之前,另包含:形成一晶种层该晶片之主动面上 。 20.如申请专利范围第17或19项所述之散热型晶片封 装构造之制造方法,其中在该整合型散热片之电镀 步骤之前,另包含: 形成一感光材料于该晶片之主动面上;及 执行一微影成像步骤,使该感光材料形成有一开孔 ,以局部显露出该晶片之该主动面。 21.如申请专利范围第20项所述之散热型晶片封装 构造之制造方法,其中该感光材料系为乾膜或厚光 阻。 图式简单说明: 第1图:习知散热型晶片封装构造之截面示意图。 第2图:依据本发明之一具体实施例,一种散热型晶 片封装构造之截面示意图。 第3A至3E图:依据本发明之一具体实施例,该散热型 晶片封装构造之晶片在晶圆等级形成一整合型散 热片过程中之截面示意图。 |
