发明名称 经氧化物隔离之金属矽闸接面场效电晶体(JFET) OXIDE ISOLATED METAL SILICON-GATE JFET
摘要 一种具有自行配向金属源极、汲极及闸极接点的JFET结构,其系具有极低的电阻率和极小的外观尺寸。在薄介电层中蚀刻出微小的源极、汲极及闸极开口,该薄介电层系具有根据想要的源极、闸极及汲极开口大小而设定之厚度,该介电层具有一氮化物上层。在该介电层上面沉积有金属以填满该等开口,并且研磨该金属回到该介电层的顶面以完成细薄的源极、汲极及闸极接点。有些具体实施例包含衬于该等接点孔里的防漏多晶矽层,而所有可能出现尖突的具体实施例都包含一阻障金属层。
申请公布号 TW200818493 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096125045 申请日期 2007.07.10
申请人 DSM解析公司 发明人 弗拉 麦德赫克;卡普尔
分类号 H01L29/772(2006.01) 主分类号 H01L29/772(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国