| 发明名称 | 氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法、使用该晶体管的有源操作显示装置和有源操作传感器装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法、使用该方法的有源操作显示装置和有源操作传感器装置。一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法包括：通过在基板上沉积和图案化栅层形成栅极；在所述栅极上依次沉积栅极绝缘膜、氧化物半导体和蚀刻阻挡层，并图案化所述蚀刻阻挡层；图案化所述氧化物半导体；在所述图案化的氧化物半导体上形成源极和漏极；以及，在所述源极和所述漏极上沉积保护层，并在所述保护层中形成接触孔，其中所述氧化物半导体被成型至小于或等于4纳米的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN104272462A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201380014732.X | 申请日期 | 2013.01.17 |
| 申请人 | 庆熙大学校产学协力团 | 发明人 | 张震;马洛里·马蒂温格;姜东汉 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘洋 |
| 主权项 | 一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：第一步骤，通过在基板上沉积和图案化栅层形成栅极；第二步骤，在所述栅极上依次沉积栅极绝缘膜、氧化物半导体和蚀刻阻挡层，并图案化所述蚀刻阻挡层；第三步骤，图案化所述氧化物半导体；第四步骤，在所述图案化的氧化物半导体上形成源极和漏极；以及，第五步骤，在所述源极和所述漏极上沉积保护层，并在所述保护层中形成接触孔，其中所述氧化物半导体具有小于或等于4纳米的厚度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||