发明名称 |
一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法。本发明提出一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法,通过实时的对进行缺陷扫描的半导体器件产生的光斑进行收集和分析后,并将该实时光斑信息及时的转化为光斑图形,并根据该光斑图形制备匹配形状的光斑阻挡板,根据该光斑阻挡板进行缺陷检测工艺;这样能有效避免因产生预料之外的光斑图形对工艺进度的影响,进而有效的抑制光斑对缺陷检测工艺的影响,极大的提高扫描质量,从而保证机台的扫描灵敏度。 |
申请公布号 |
CN102768969B |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201210225808.0 |
申请日期 |
2012.07.03 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
王洲男;龙吟;倪棋梁;陈宏璘;郭明升 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:制备一要进行缺陷扫描的半导体器件,对所述半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析;步骤S2:将采集到的光斑的信息转化为光斑图形;步骤S3:根据所述光斑图形,描绘出光斑阻挡形状;步骤S4:根据所述光斑阻挡形状,生成光斑阻挡板,并利用该光斑阻挡板对所述半导体器件进行缺陷检测工艺。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |