一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅陶瓷真空熔覆金属涂层的方法。主要步骤包括：金属混合粉末配置、膏剂制备、陶瓷表面涂覆和真空熔覆。其中金属混合粉末质量百分比组成为10~40%的Mo，15~40%的Ni（或Co），30~70%的Si；真空熔覆温度和时间分别为1250~1400℃，和10~30min。本发明可做为碳化硅与金属钎焊的过渡层的制备工艺，制备的涂层能显著改善金属与碳化硅间的润湿性能，降低或阻止碳化硅陶瓷与钎料在钎焊过程中的过度反应，从而提高陶瓷/金属钎焊的界面结合强度。

主权项

一种在碳化硅表面真空熔覆金属涂层的方法，其特征在于步骤如下：1）将市售Mo、Ni和Co的一种和Si粉按一定质量百分比组成进行称重、混合，球磨制成金属混合粉末；2）将上述金属混合粉末烘干、过筛；3）取部分上述过筛好的金属混合粉末，加入有机粘结剂，充分搅拌后得到均匀膏剂；4）将膏剂覆盖在清洁处理的碳化硅陶瓷表面上；5）将涂覆的碳化硅陶瓷片，置于真空度≤4×10^‑2Pa的真空炉，以3~10℃/min加热至一定温度，保温一定时间，使金属混合粉末完全熔覆在陶瓷表面，再以3~5℃/min冷却至室温，形成致密的金属涂层。