发明名称 | 基于可逆电致电阻效应的逻辑器件 | ||
摘要 | 本发明提供一种基于铁电及多铁材料可逆电致电阻效应的纳米多层膜逻辑器件。由单功能层制备的逻辑器件,通过对初始逻辑输出态的设置,可以实现与非逻辑和或非逻辑功能;由双功能层制备的逻辑器件,在双输入的情况下,通过对初始逻辑输出态的设置,可以实现与非逻辑和或非逻辑功能;由双功能层制备的逻辑器件,在三输入(其中一个输入作为控制输入)的情况下,通过对初始逻辑输出态的设置,可以实现与非逻辑和或非逻辑功能。 | ||
申请公布号 | CN102856488B | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
申请号 | CN201110305257.4 | 申请日期 | 2011.09.30 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 韩秀峰;李大来;刘东屏 |
分类号 | H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;鲍俊萍 |
主权项 | 一种基于有势垒对称双功能层纳米多层膜的逻辑器件,其特征在于,由下至上依次包括:复合层、缓冲层、势垒层、导电层、功能自由层、覆盖层;其中,所述复合层由下至上可以包括底层、衬底,其中底层为导电材料,用于在衬底和功能自由层上施加电场;衬底为铁电或多铁材料,可在电场的作用下改变极化强度的大小及其方向;缓冲层为导电材料,用于减少势垒层的粗糙度;势垒层为氧化物;导电层为能导电的无机或有机材料;功能自由层为铁电或多铁材料,可在电场的作用下改变极化强度的大小及其方向;覆盖层为保护层,防止中间的导电层被氧化;通过在所述的底层和覆盖层之间施加电场,可以改变功能自由层和衬底的极化强度方向,从而影响和改变导电层的面内电导,可获得不同电场下不同的电阻态。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |