垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法

摘要

本发明涉及垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法，该垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件包括P区与N区相间密堆集形成的复合缓冲层，所述复合缓冲层中每个P区和每个N区的直径沿纵向渐变。本发明垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法在不影响耐压区的耐压能力下，进一步提高耐压区的掺杂浓度，从而降低了垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件的导通电阻，提高了垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件的击穿电压。

主权项

一种垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件，包括P区与N区横向相间密堆集形成的复合缓冲层、所述复合缓冲层位于衬基及扩散层之间，所述复合缓冲层中每个P区和每个N区的直径沿纵向渐变，其特征在于，每个N区和每个P区内的杂质分布不均匀；其中，若所述衬基为重掺杂N型半导体材料，N区靠近所述衬基处的杂质浓度大于靠近所述扩散层处的杂质浓度，P区靠近所述衬基处的杂质浓度小于靠近所述扩散层处的杂质浓度；若所述衬基为重掺杂P型半导体材料，N区靠近所述衬基处的杂质浓度小于靠近所述扩散层处的杂质浓度，P区靠近所述衬基处的杂质浓度大于靠近所述扩散层处的杂质浓度。