发明名称 |
一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及制作方法和显示装置,涉及显示技术领域,用以实现精确控制TFT源漏极的形状。所述阵列基板,包括:在基板上形成的像素结构;所述像素结构包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极;所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极,其中,栅极与栅线电连接,源极与数据线电连接,漏极与像素电极电连接;所述像素结构还包括:有机绝缘层,所述有机绝缘层位于所述栅绝缘层上方,且在所述薄膜晶体管的位置处为“山”字形结构;所述薄膜晶体管的源极和漏极分别位于所述“山”字形结构的两个低凹处。本发明的方案适用于液晶显示面板及液晶显示器的生产制造。 |
申请公布号 |
CN102629664B |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201210001320.X |
申请日期 |
2012.01.04 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
张学辉 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板,包括:在所述基板上形成的像素结构;所述像素结构包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极;所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极,其中,所述栅极与所述栅线电连接,所述源极与所述数据线电连接,所述漏极与所述像素电极电连接;其特征在于,所述像素结构还包括:有机绝缘层,所述有机绝缘层位于所述栅绝缘层上方,且在所述薄膜晶体管的位置处为“山”字形结构;所述薄膜晶体管的源极和漏极分别位于所述“山”字形结构的两个低凹处,且所述薄膜晶体管的有源层覆盖所述薄膜晶体管的源极和漏极;所述“山”字形结构的高出部分的高度大于除所述“山”字形结构以外的所述有机绝缘层的高度,所述“山”字形结构的高出部分为隔垫物。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |