| 发明名称 | 真空成膜方法及真空成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种紧凑且使用方便、初期成本和运行成本均低廉的真空成膜装置及真空成膜方法。在成膜室（2）内设置工件支架（10）和磁控管电极（15）。在磁控管电极（15）设置第一靶材料（16），且与之重叠地设置第二靶材料（17）。第二靶材料（17、17）能够采用覆盖第一靶材料（16）的位置和敞开的位置这两个位置。向工件支架（10）与第一、二靶材料（16、17）之间能够选择地施加直流电压和高频电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103060763B | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201210402473.5 | 申请日期 | 2012.10.19 |
| 申请人 | 株式会社日本制钢所 | 发明人 | 西田正三;泷川志朗 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;B29C45/17(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 高培培;车文 |
| 主权项 | 一种真空成膜方法，其特征在于，将注塑成形的成膜用工件安装在成膜室(2)的工件支架(10)上，其中，所述成膜室(2)配置成使设置于磁控管电极(15)的第一、二靶材料(16、17)在与所述工件支架(10)相对的方向上重合，对所述成膜室(2)内进行减压，使所述第二靶材料(17、17)在所述成膜室(2)内左右对开地打开而从覆盖所述第一靶材料(16)的位置退避，向所述第一靶材料(16)与所述工件支架(10)之间施加电压，利用所述第一靶材料(16)在所述成膜用工件(W)的表面上形成薄膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||