| 发明名称 | 防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，包括：将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N<sub>1</sub>+N<sub>2</sub>+…+N<sub>n</sub>，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒～60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；或将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N<sub>1</sub>+N<sub>2</sub>+…+N<sub>n</sub>，所述N<sub>1</sub>＝N<sub>2</sub>＝…＝N<sub>n</sub>，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等。所述蒸镀在20～50℃的温度条件下使用<img file="DDA0000591457660000011.GIF" wi="198" he="54" />的速率进行。本发明的优点是：第一，操作性强，铝粒不会生长成较大的铝颗粒；第二，可靠性高，对产能没有影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104269484A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201410566098.7 | 申请日期 | 2014.10.22 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 胡弃疾;苗振林;汪延明 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人 | 何自刚 |
| 主权项 | 一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法，其特征在于，包括：将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N<sub>1</sub>+N<sub>2</sub>+…+N<sub>n</sub>，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒～60秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；或将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀，N＝N<sub>1</sub>+N<sub>2</sub>+…+N<sub>n</sub>，所述N<sub>1</sub>＝N<sub>2</sub>＝…＝N<sub>n</sub>，每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒，直到把整个铝膜蒸镀完毕；所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等；所述蒸镀在压力小于3.0×10<sup>‑5</sup>Pa的真空条件下进行；所述蒸镀在20～50℃的温度条件下使用<img file="FDA0000591457630000011.GIF" wi="216" he="77" />的速率进行。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区 | ||