| 发明名称 | 鳍式场效晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种鳍式场效晶体管，包括：衬底，所述衬底包括器件区域和熔丝区域；形成于所述器件区域上的FinFET结构；以及形成于所述熔丝区域上的e-fuse结构。在本实用新型提供的鳍式场效晶体管中，在传统的FinFET结构的基础上增加了能够实现可编程电子熔丝功能的e-fuse结构，而且所述FinFET结构与所述e-fuse结构能够在同一个工艺中制作完成，无需分别制作，工艺简单，有利于降低制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN204088327U | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201420547258.9 | 申请日期 | 2014.09.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 李勇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种鳍式场效晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括器件区域和熔丝区域；形成于所述器件区域上的FinFET结构；以及形成于所述熔丝区域上的e‑fuse结构。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||