发明名称 |
用于控制氧之柴可斯基(CZOCHRALSKI)坩埚及相关方法;CZOCHRALSKI CRUCIBLE FOR CONTROLLING OXYGEN AND RELATED METHODS |
摘要 |
一种自熔体生长晶锭之系统包括第一坩埚、第二坩埚及堰。该第一坩埚具有形成用于容纳该熔体之外部空腔之第一底座及第一侧壁。该堰位于该第一底座之顶部上在自该第一侧壁向内之位置处以抑制该熔体自该堰向外之位置移动至该堰向内之位置。该第二坩埚经定大小以用于放置于该外部空腔内且具有形成内部空腔之第二底座及第二侧壁。本发明亦揭示相关方法。 |
申请公布号 |
TW201500602 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW103109531 |
申请日期 |
2014.03.14 |
申请人 |
MEMC电子材料公司 |
发明人 |
斯瓦米那恩 堤鲁玛尼N;佐佩达 萨凡朵;亥克 约翰 大卫 |
分类号 |
C30B15/00(2006.01);C30B15/12(2006.01);C30B29/06(2006.01) |
主分类号 |
C30B15/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 |