| 发明名称 |
固体电子装置（一） |
| 摘要 |
本发明之1个固体电子装置系具备有藉由在含氧氛围中加热以前驱体溶液作为初始材料的前驱体层所形成之铋(Bi)与铌(Nb)所构成的氧化物层(可含有无法避免的杂质)，其中该前驱体溶液系以含有铋(Bi)之前驱体及含有铌(Nb)之前驱体作为溶质；用以形成该氧化物层之加热温度为520℃以上650℃以下。 |
| 申请公布号 |
TWI467612 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW101141473 |
申请日期 |
2012.11.08 |
| 申请人 |
独立行政法人科学技术振兴机构 日本 |
发明人 |
下田达也;德光永辅;尾上允敏;宫迫毅明 |
| 分类号 |
H01G9/07;H01G9/15 |
主分类号 |
H01G9/07 |
| 代理机构 |
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代理人 |
黄庆源 台北市大安区敦化南路1段245号8楼;陈彦希 台北市大安区敦化南路1段245号8楼 |
| 主权项 |
一种固体电子装置，系具备有藉由在含氧氛围中加热以前驱体溶液作为初始材料的前驱体层所形成之铋(Bi)与铌(Nb)所构成的氧化物层(可含有无法避免的杂质)，其中该前驱体溶液系以含有铋(Bi)之前驱体及含有铌(Nb)之前驱体作为溶质；用以形成该氧化物层之加热温度为520℃以上650℃以下。 |
| 地址 |
日本 |
