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发明名称
薄膜太阳能电池
摘要
本发明揭示一种薄膜太阳能电池,包含基材、第一透明导电层、P型半导体层、本质(i)型半导体层、N型半导体层、奈米金属粒子层、第二透明导电层以及背电极。本发明藉由奈米金属粒子层增加入射光的捕捉及光的利用率,进而达到光电流及光电转换效率的提升。
申请公布号
TWI467782
申请公布日期
2015.01.01
申请号
TW100121658
申请日期
2011.06.21
申请人
亚树科技股份有限公司
发明人
李炳寰;谢文俊;谢逸弘;简永杰
分类号
H01L31/042;H01L31/0224
主分类号
H01L31/042
代理机构
代理人
李文贤 新北市板桥区民生路1段33号17楼之3
主权项
一种薄膜太阳能电池,包含:一基材;一第一透明导电层,形成于该基材上,用于取出电能;一P型半导体层,形成于该第一透明导电层上,用于产生电洞;一本质(i)型半导体层,形成于该P型半导体层上,用于提高可见光谱光子的吸收范围;一N型半导体层,形成于该本质(i)半导体层上,用于产生电子;一奈米金属粒子层,形成于该N型半导体层上,用于增加光的利用率;一第二透明导电层,形成于该奈米金属粒子层上;以及一背电极,形成于该第二透明导电层上,用于取出电能;其中,该奈米金属粒子层之粒子系选自金、银、铜、铂、镍、锌、锡、铝的一种或合金之一,该奈米金属粒子层之晶粒大小系为5至200奈米之间,且该奈米金属粒子层之奈米粒子在该N型半导体层之表面覆盖率为20%至60%之间。
地址
台南市台南科学工业园区南科二路12号R205 TW R205, NO. 12, NAN-KE 2ND RD, TAINAN SCIENCE-BASED INDUSTRIAL PARK, TAINAN COUNTRY, 74147, TAIWAN, R. O. C.
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