包含多个ＭＱＷ区域之ＭＱＷ雷射结构

摘要

本发明提供多量子井雷射半导体包含主动及/或被动MQW区域。每一MQW区域包含多个量子井以及中间障壁层。邻近的MQW区域被间隔层所分隔，间隔厚度大于障壁层厚度。量子井的能带间隙低于中间障壁层以及间隔层的能带间隙。主动区域包含主动及被动MQW以及配置作为电子泵运之光子受激发射或其可包含主动MQW区域配置作为光学泵运之光子受激发射。

主权项

一种多量子井雷射二极体，包含一雷射基质、一半导体主动区域、一波导区域以及一披覆区域，其中：该主动区域包含至少一个主动多量子井(MQW)区域以及至少一个被动MQW区域；该主动MQW区域系使用在电子泵运激发的光子发射；该被动MQW区域在该主动MQW区域的雷射光子能量为光学可透射；每一个MQW区域包含复数个量子井以及具有障壁层厚度a的中间障壁层；邻近的MQW区域被具有间隔层厚度b的一间隔层所分隔；该间隔层厚度b大于该障壁层厚度a；该等量子井的能带间隙低于该中间障壁层以及该间隔层的能带间隙；以及各个主动区域、波导区域以及披覆区域在该雷射基质上方形成一多层的二极体，使得该波导区域导引来自该主动区域激发的光子发射，且该披覆区域促进该波导区域中的发射光子之传送。