半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种于近红外~红外区域量子效率或感度较高之半导体元件等。本发明之半导体元件具备：基板；复数对多重量子井构造，其等位于基板之上方，且以a层与b层作为1对；及结晶调整层，其位于基板与多重量子井构造之间；且结晶调整层包含：第1调整层，其包含与基板相同之材料，且接触于该基板；及第2调整层，其包含与多重量子井构造之a层或b层相同之材料，且接触于多重量子井构造。