在半导体装置的接触层堆叠中藉由连续提供高应力蚀刻停止材料与层间介电质而成的应力转移

摘要

藉由形成两个或更多个个别具有中间层间介电质材料的高本质应力位准之介电质层，可顾及各自沉积技术的限制，例如电浆增强化学气相沉积，然而仍提供一增量之应力材料在电晶体元件之上，甚至系用于高度按比例缩小的半导体装置。

主权项

一种制造半导体装置之方法，包括：在形成于基体上的第一电晶体之上形成第一应力诱导层，该第一应力诱导层在该第一电晶体的通道区域中产生第一类型的应变；在设置于该第一电晶体之上之该第一应力诱导层之上形成第一层间介电质材料，其中，该第一层间介电质材料的平均厚度大于该第一应力诱导层的厚度；在设置于该第一电晶体之上之该第一层间介电质材料之上形成第二应力诱导层，该第二应力诱导层在该第一电晶体的该通道区域中产生该第一类型的应变；在该第二应力诱导层之上形成第二层间介电质材料；以及使用该第一和第二应力诱导层作为蚀刻停止层，以在该第一和第二层间介电质材料中形成接触开口。