| 摘要 |
本发明的目的之一是使使用氧化物半导体的半导体装置具有良好的电特性。本发明的目的之一是提供一种使用氧化物半导体的半导体装置的电特性的变动被抑制的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：基底绝缘层上的岛状的半导体层；半导体层上的一对电极；接触于电极的底面的阻挡层；半导体层上的闸极电极；以及半导体层与闸极电极之间的闸极绝缘层。此外，半导体层包含氧化物半导体，基底绝缘层包含氧化矽或氧氮化矽，电极包含Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo或W，阻挡层包含氧化物，该氧化物含有氧化物半导体所含的金属元素中的一种以上。再者，当以俯视观察时，电极及阻挡层延伸到半导体层的外侧。 |
