发明名称 半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 一种显示装置,用于抑制电晶体的临界值电压的波动,减少显示面板和驱动器IC的连接的数量,实现显示装置的功耗的减少,和实现显示装置的大小和高清晰度的提高。容易劣化的电晶体的闸极连接至高电位透过第一开关电晶体供应给其的布线和低电位透过第二开关电晶体供应给其的布线;时钟信号输入到第一开关电晶体的闸极;反向时钟信号输入到第二开关电晶体的闸极。因而,高电位和低电位交替施加到容易劣化的电晶体的闸极。; a clock signal is input to a gate electrode of the first switching transistor; and an inverted clock signal is input to a gate electrode of the second switching transistor. Thus, the high potential and the low potential are alternately applied to the gate electrode of the transistor which easily deteriorates.
申请公布号 TW201501100 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW103132393 申请日期 2007.09.20
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 梅崎敦司;三宅博之
分类号 G09G3/20(2006.01);G02F1/133(2006.01);G02F1/1368(2006.01);G11C19/00(2006.01);G11C19/28(2006.01) 主分类号 G09G3/20(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本