发明名称 |
在半导体处理设备中晶圆DC自我偏压的非侵入式的测量;NON-INTRUSIVE MEASUREMENT OF A WAFER DC SELF-BIAS IN SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT |
摘要 |
本文介绍一种直流(DC)电压,该直流电压于一电压值下施加于电极以将工件夹持至在处理腔室中之静电卡盘。电极嵌入静电卡盘中。测量在直流电压下穿过电极之静电卡盘电流。基于静电卡盘电流及所施加之电压测定在工件上由电浆诱发之直流电自我偏压。 |
申请公布号 |
TW201501236 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW103120723 |
申请日期 |
2014.06.16 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
贝罗斯特凯索爵G;丁庆恩;恩盖叶安德鲁;千范麦可G |
分类号 |
H01L21/683(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/683(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财李世章 |
主权项 |
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地址 |
美国 |