发明名称 |
培养基体及使用该培养基体的神经移植体 |
摘要 |
本发明涉及一种培养基体,用于培养神经细胞的神经突起,其包括:一载体及设置于该载体表面的一碳纳米管结构,所述碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线,该碳纳米管线用于引导神经突起的生长方向,且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于所述神经突起的直径。所述碳纳米管结构还可以包括多个交叉设置的碳纳米管线,该多个碳纳米管线相互交叉形成多个孔,每个孔的有效直径大于等于所述神经突起的直径。本发明还提供一种使用上述培养基体的神经移植体,其包括上述培养基体以及吸附在该培养基体表面的神经网络;所述神经网络包括多个神经细胞,该多个神经细胞包括多个神经突起,所述碳纳米管结构通过该多个碳纳米管线形成一图案,该多个神经突起沿着该多个碳纳米管线延伸形成图案化的神经突起。 |
申请公布号 |
CN102911912B |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201110217845.2 |
申请日期 |
2011.08.01 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
范立;冯辰;赵文美 |
分类号 |
C12N5/079(2010.01)I;A61L27/38(2006.01)I;A61L27/08(2006.01)I |
主分类号 |
C12N5/079(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种培养基体,用于培养神经细胞的神经突起,其包括:一载体及设置于该载体表面的一碳纳米管结构,所述碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线,每个碳纳米管线包括多个碳纳米管,且该多个碳纳米管通过范德华力首尾相连且沿该碳纳米管线的轴向延伸,该碳纳米管线用于引导神经突起的生长方向使神经突起沿该多个碳纳米管的轴向延伸方向生长,且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于所述神经突起的直径。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |