VDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种VDMOS器件及其制造方法。本发明通过两次多晶硅刻蚀把现有VDMOS器件中两个沟道区中间的多晶硅去掉，达到降低栅漏电容的目的；又通过增加N+注入，与P+阱同时推结深，达到P+阱区和N+阱区电离杂质浓度相同，达到反偏时N+阱区完全耗尽的目的，由于增加了N+注入，所以RJ和RD都会降低，提高了VDMOS器件的开启速度。

主权项

一种VDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底正面的外延层；位于所述外延层表面的栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化层和位于所述栅极氧化层表面的栅极多晶硅层，且所述栅极多晶硅层仅覆盖所述栅极氧化层两端；所述栅极多晶硅层以及所述栅极氧化层中部没有被所述栅极多晶硅层覆盖的表面上设置有中间介质层；位于所述栅极结构两侧所述外延层内的P+阱区，以及位于所述栅极结构下方所述外延层内的N+阱区，所述N+阱区内参杂有电离杂质；位于所述衬底背面的漏极金属层。