| 发明名称 | 一种二极管芯片的结终端结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种二极管芯片的结终端结构，解决现有二极管挖槽中芯片耐压值低，漏电流大的问题。二极管的电压槽的侧壁设置有台阶结构。该电压槽设置有两级台阶结构或三级台阶结构且其高度过P+N结伸入N区20～70um。本实用新型适用于所有台面结构的半导体芯片生产领域。 | ||
| 申请公布号 | CN204067365U | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201420506201.4 | 申请日期 | 2014.09.03 |
| 申请人 | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 | 发明人 | 王民安;黄富强;项建辉;叶民强;汪杏娟;王日新 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人 | 杨大庆;叶绿林 |
| 主权项 | 一种二极管芯片的结终端结构，包括长基区N，扩磷区N+，浓硼扩散区P+，电压槽，其特征在于：所述的电压槽是耐高压、表面电场弱的电压槽结构。 | ||
| 地址 | 245000 安徽省黄山市祁门县新兴路449号 | ||