氮化物半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种临界角增大的氮化物半导体发光器件及其制造方法。通过将基板的角部变圆来增大临界角，使得由于从基板内部产生并提取到外部的光的量增加而提高光提取效率。所述氮化物半导体发光器件包括：形成在基板上的缓冲层；形成在缓冲层上的包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；形成在第一导电半导体层上的第一电极；和形成在第二导电半导体层上的第二电极；其中所述基板具有透光性，并且所述基板的各个角部被变圆以具有预定曲率。

主权项

一种氮化物半导体发光器件的制造方法包括：在基板上形成缓冲层；通过在所述缓冲层上顺序地堆叠第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层形成发光结构；对所述第二导电半导体层的选择区域执行台面蚀刻，直到暴露所述第一导电半导体层为止；分别在暴露的所述第一导电半导体层上形成第一电极和在所述第二导电半导体层上形成第二电极；研磨并抛光形成有所述第一电极和所述第二电极的所述基板；将已被完成研磨和抛光的所述基板的各个角部变圆；通过划线和折断工艺将角部变圆的所述基板分割成各个器件。